阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统

本申请提供一种阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统，涉及真空电子器件制造技术领域，其中，该方法包括：基于光谱辐射能量，利用深度卷积神经网络反演获得其表面三维温度场分布；基于该分布数据计算发射针间横向及轴向纵向温度梯度，输入至评估模型动态评估浸润均匀度；结合比例积分微分控制器，依据均匀度结果生成多温区加热功率调控指令，并通过调节各温区功率输出，使阵列温度场达到促进铟料均匀浸润的要求。本申请提升了复杂三维结构场致发射体在真空高温环境下铟料浸润均匀性的控制精度和可靠性。