一种负电容隧穿场效应晶体管及其制备方法

本发明涉及一种负电容隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域，解决现有隧穿场效应晶体管存在发生隧穿的面积有限、开态电流小的技术问题。其晶体管包括源区、本征区、漏区、栅氧化层、金属栅、漏电极、源电极、HfO铁电层。HfO铁电层、金属栅长度小于栅氧化层的长度。本征区、漏区掺杂类型相同，且与源区掺杂类型相反。其制备方法包括样片预处理、光刻、刻蚀，离子注入、去胶，激活注入掺杂，栅氧化层淀积、HfO铁电层制备、金属栅制备，氧化层去除，源电极、漏电极淀积的步骤。该发明用于基于负电容效应的短栅结构隧穿场效应晶体管。