基于β-GaO衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种基于β‑GaO衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备。该横向MOSFET器件包括：衬底、轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区、第一金属层、第二金属层、栅介质层、栅极金属层。该横向MOSFET器件具有高开关比，强栅控能力的特点，且无需刻蚀、成本较低。