半导体装置

本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式所涉及的半导体装置具有：第1电极及第2电极，分别设置于半导体层的第1主面及第2主面；第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，从第1半导体区域朝向第2电极延伸，具有上侧区域和下侧区域，该上侧区域具有比第1半导体区域高的杂质浓度，该下侧区域包含宽度比上侧区域窄的区域；第3电极，隔着绝缘区域而设置于半导体层内，沿与从第1电极朝向第2电极的第1方向正交的第2方向而与下侧区域并排；第1导电部，隔着第2半导体区域而与第3电极对置，与第2电极电连接，与下侧区域肖特基接触；以及第2导电部，与第2电极电连接，与上侧区域欧姆接触。