一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法

本申请公开了一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法。超级结结构包括第一P区，位于P区中间区域，第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合，高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规值，其中四面体结构含负电荷，八面体结构含正电荷；第二P区，位于第一P区的两侧，其主体材料与N区的材料相同，并且第二P区富含正电荷，正电荷受第一P区中四面体结构的负电荷吸引而聚集，第二P区的宽度由第一P区的四面体结构相对于八面体结构的净过剩电荷量和N区的掺杂浓度决定。本发明的优点在于，四面体结构的负电诱生效应使在保持超级结结构的宽度条件下有效提高耐压，从而减小器件尺寸，降低成本。