半导体装置和制造半导体装置的方法

提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一源极/漏极图案，在基底的第一区域上在第一方向上彼此间隔开；第一栅极结构，在与第一方向相交的第二方向上延伸，第二源极/漏极图案，在基底的第二区域上在第一方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二方向上延伸；第一内部栅极间隔件，在第一栅极结构与第一源极/漏极图案中的一个之间；以及第二内部栅极间隔件，在第二栅极结构与第二源极/漏极图案中的一个之间。第一内部栅极间隔件和第二内部栅极间隔件在第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度，第一内部栅极间隔件在沿着第二方向的中心点处的第一厚度与第二内部栅极间隔件在沿着第二方向的中心点处的第二厚度不同。