半导体器件及其形成方法

在实施例中，半导体器件包括：第一单元，包括第一有源区域和与第一有源区域相邻的第二有源区域，其中，第一有源区域和第二有源区域的每个包括：第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及第二纳米结构，位于第一纳米结构上方，第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸；以及第一栅极堆叠件，位于第一有源区域的第一纳米结构和第二有源区域的第一纳米结构周围；以及第二栅极堆叠件，位于第一栅极堆叠件上方并且设置在第一有源区域的第二纳米结构和第二有源区域的第二纳米结构周围。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。