基于沟槽结构的高性能金刚石辐射探测器件的制备方法

本发明的基于沟槽结构的高性能金刚石探测器件的制备方法属于半导体材料器件应用领域，利用载气将金属溶液带入MPCVD腔体，实现原位氮、硅杂质的高效去除，并结合三角形沟槽结构生长低电阻硼掺杂金刚石层实现高可靠的欧姆接触电极，包括清洗衬底、加工周期性沟槽结构、形成图形化金刚石外延层、形成低电阻硼掺杂金刚石层、形成接触电极等步骤。本发明采用的沟槽结构有利于硼原子掺杂入金刚石晶格，提高掺杂浓度并降低欧姆接触电阻，并且形成局部的高电场，促使辐照引起的载流子的迁移及收集。