一种半导体器件及其制造方法、电子装置

提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，方法包括：提供衬底，在衬底上形成有第一层间介电层；刻蚀第一层间介电层以形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成第一极板层；形成覆盖第一极板层的铁电介质层；形成覆盖铁电介质层的第二极板层，第二极板层填充沟槽的剩余部分，第一极板层、铁电介质层和第二极板层构成铁电电容器。本发明方案中的铁电电容器包括水平方向的电容结构和竖直方向的电容结构，能够在竖直方向增加电容器面积，进而能够提高电容容量，解决了铁电电容器面积无法进一步缩小的问题，进而使得存储器单元结构的水平面积能够进一步缩小，提高了器件的集成度和性能；同时，进一步缩小的存储器单元也能够很好地兼容铜制程工艺。