半导体预清洗方法和半导体预清洗装置

本发明提供了一种半导体预清洗方法，涉及半导体加工技术领域，以解决硅钛界面中氟残余量较大的问题。半导体预清洗方法用于清除晶片的硅层或锗硅层表面氧化层；方法包括：刻蚀步，提供含氟刻蚀剂，使含氟刻蚀剂与表面氧化层反应生成固态副产物；固态副产物包括氟硅酸盐；退火步，调节晶片的表面温度，将氟硅酸盐分解形成气态副产物并被排出；气态副产物包括氟硅化合物；除氟步：提供中性氢原子或中性含氢自由基，使中性氢原子或中性含氢自由基与氟硅化合物反应生成氟化氢并被排出。其可以减少硅钛界面中氟残余量。