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案件記録
半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
千叶哲也; 池田真朗
IPC分類
B28D 5/04 (2006.01)B23K 26/53 (2014.01)B24B 27/06 (2006.01)B24D 5/00 (2006.01)B24B 37/10 (2012.01)B28D 5/00 (2006.01)
本发明的目的在提供可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法。半导体结晶晶圆的一例的SiC晶圆的制造方法包括沟槽加工步骤(STEP100/图1)、引导线形成步骤(STEP110/图1)、切断步骤(STEP120/图1)及磨削加工步骤(STEP130/图1)。
外部リソース