一种MEMS器件限位结构

一种MEMS器件限位结构，包括：上限位结构以及下限位结构；上限位结构用于在器件结构朝向第一方向、第三方向以及第四方向运动时为器件结构提供反向力，提高器件结构在X/Y方向的抗冲击性；下限位结构用于在器件结构朝向第二方向运动时为器件结构提供反向力，以避免器件结构的形变量超过最大允许形变量；限位结构的四周均设置有胶槽，通过胶粘方式与器件结构进行结合，将限位结构与器件结构的间隙精确控制在10um以内，以提升MEMS器件的产品良率。