一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法

本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，且公开了一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法，该在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法S1、采用功率为300‑500W、频率为20‑40kHz超声波清洗基体表面10‑20分钟，去除基体表面的油脂、氧化物等杂质。该在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法，为了使该方法为后续高效沉积奠定核心基础，通过设置准备阶段，该阶段配合基体预处理，超声波清洗利用空化效应剥离油脂与氧化物，等离子体处理增加表面不饱和键，激光处理提高粗糙度与表面积，三者结合提高基体表面洁净度，为涂层提供强结合基础，同时高纯度硅烷、甲烷经氩气稳定输送，使先驱体浓度波动控制在±2%以内。