一种获取高质量铯铜碘单晶的近平衡态生长方法

本发明属于光电子材料制备与应用技术领域，具体涉及一种获取高质量铯铜碘单晶的近平衡态生长方法。本发明首先测量CsCuI在混合有次磷酸的氢碘酸溶液体系中的溶解曲线和亚稳曲线，并据此配制籽晶环境溶液和生长溶液，控制籽晶环境溶液与籽晶生长所保持的温度T相同，并保持接近饱和的浓度C，控制生长溶液处于更高的温度T，并保持接近饱和的浓度C，分别加入至自行设计的生长装置的籽晶生长腔R和补料腔R，开启生长装置，补料腔R中生长溶液进入温度较低的籽晶生长腔R并进入亚稳区间，在籽晶上析出生长。本发明方法生长6天获得10 mm尺寸的CsCuI单晶闪烁体，具有良好的环境稳定性和较高的晶体质量。