一种碳化硅外延生长系统

本发明提供一种碳化硅外延生长系统，涉及碳化硅外延技术领域。该系统包括承片盘、掺杂检测模块、分区进气模块和掺杂控制模块；承片盘用于承载碳化硅晶圆；掺杂检测模块实时采集晶圆边缘与晶圆中心外延层的掺杂浓度；分区进气模块包括边缘进气通道与中心进气通道，分别向晶圆边缘与中心区域输送掺杂气体；掺杂控制模块根据实时采集的晶圆边缘与晶圆中心外延层的掺杂浓度的差异，动态调整晶圆边缘与中心的掺杂气体浓度，以使外延层中边缘与中心的掺杂浓度差异最小化。本发明能够在不影响外延层生长厚度均匀性的前提下，减小碳化硅外延层边缘与中心掺杂浓度差异。