一种磁存储阵列和读写方法

公开了一种磁存储阵列及读写方法，磁存储阵列中，多个沿X‑Y平面排列的磁存储器件，每条字线同时包裹于多个选通器外侧；每条位线连接多个柱电极的顶部；多个CMOS晶体管漏极连接柱电极的底部；栅线连接多个CMOS晶体管的栅极；源线连接多个CMOS晶体管的源极；磁隧道结的磁自由层的磁化翻转由自旋轨道矩和自旋转移矩共同作用完成，自旋轨道矩由电流经过柱电极产生的极化方向为圆周方向的自旋极化电子提供，自旋转移矩通过沿磁隧道结的径向方向注入写电流提供，磁存储阵列中磁隧道结的电阻态的判断通过沿磁隧道结的径向方向注入读电流来完成。