梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法

本发明涉及光电子集成器件技术领域，尤其涉及一种梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法。包括：超声清洗铌酸锂微盘芯片，高纯氮气吹干；通入氩气等离子体，进行5~15分钟活化处理；配制稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量10~15%的前驱体溶液；经磁力搅拌、滤膜过滤后，取少量前驱体溶液滴覆于处理后的铌酸锂微盘表面，旋涂形成高掺杂界面锚定层；配制稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量的2~5%的主前驱体溶液；在高掺杂界面锚定层未完全干燥时，滴加主前驱体溶液，以预设旋涂参数进行旋涂，得到主增益层；执行两阶段退火程序，冷却至室温。优点在于：不在非激光区域引入额外光损耗，系统集成度更高。