半导体结构及其制造方法、存储器系统

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一栅线隔离结构以及第二栅线隔离结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧，半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间，第一栅线隔离结构沿第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠方向穿过第二堆叠结构、半导体层以及第一堆叠结构，并沿第一方向延伸，第二栅线隔离结构沿堆叠方向穿过第二堆叠结构和第一堆叠结构，并沿第一方向延伸，其中，第二栅线隔离结构位于在与第一方向相交的第二方向上相邻的第一栅线隔离结构之间。