一种可三维堆叠的非易失存储器集成方法

本发明一种可三维堆叠的非易失存储器集成方法，制备的存储器由多个单元自下而上堆叠组成，每个单元包括选择管和非易失存储介质，选择管的源和漏均由其沟道层提供，选择管的栅端由栅金属和栅介质组成，选择管的源端同时作为非易失存储介质的底电极，选择管的漏端同时作为非易失存储介质的顶电极，相邻选择管的源和漏连接在一起。沿垂直于纸面的方向，同一行单元的选择管栅端通过栅金属连接在一起形成字线，最上层单元的选择管漏端通过源漏金属形成位线，最下层单元的选择管源端通过源漏金属形成板线。本发明多个存储单元共享光刻、刻蚀、沟道层淀积、非易失介质层淀积等工艺步骤，降低了存储器的每比特成本，制备出高可靠、高密度非易失存储器。