竖直异质结双极晶体管

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及竖直异质结双极晶体管及制造方法。该结构包括：集电极区，其位于半导体衬底上方；基极区，其位于集电极区上方；发射极区，其邻近基极区；以及底切结构，其位于半导体衬底上方并邻近集电极区。