应用于SGT器件制作中的工艺方法

本申请公开了一种应用于SGT器件制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，衬底和深沟槽表面形成有第一氧化物层，深沟槽的深度和宽度的比值大于6；在第一氧化物层上形成第一多晶硅层，第一多晶硅层填充深沟槽；进行各向同性刻蚀，去除深沟槽外其他区域的第一多晶硅层，刻蚀后深沟槽内的第一多晶硅层的顶部存在不平整的缺陷；通过调控反应腔内的压力、反应气体成分以及功率这三个参数中的至少一种参数以进行各向异性刻蚀，对第一多晶硅层的顶部进行修饰，使第一多晶硅层的顶部平滑。本申请能够提高在深沟槽中第一多晶硅层上方形成第二多晶硅层的填充性，降低了第二多晶硅层中空隙的产生，改善了器件产品的漏电流现象。