一种P型薄膜晶体管及其制备方法

本发明公开了一种P型薄膜晶体管及其制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明采用锗/铝薄膜周期性交替叠层结构作为有源层，通过后退火工艺促使其结晶，从而实现P型晶体管特性。所制备的薄膜晶体管性能出色，具有实际应用潜力，工艺流程简洁、成本低廉，且可与现有氧化物晶体管平台兼容，有望实现与氧化物器件协同集成的薄膜晶体管CMOS电路，对集成电路领域的持续发展与产业升级具有重要意义。