二极管P+保护环的制备方法和二极管

本申请公开了一种二极管P+保护环的制备方法和二极管，所述二极管P+保护环的制备方法包括步骤：在晶圆上涂覆一层乳胶硼源，并烘干所述乳胶硼源；将所述晶圆和所述乳胶硼源放入具有氮气与氧气混合气体的扩散炉管中，并对所述乳胶硼源进行加热分解，以形成包括晶圆、氧化硅层和硼硅盐酸层的三层堆叠结构；蚀刻所述氧化硅层，并剥离所述硼硅盐酸层，完成二极管P+保护环的制备。通过上述设计，能够减少去除BSG的工艺流程，提高生产线晶圆流转效率。