降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法

本发明提供降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法，包括衬底、电荷节流层、N+区和氧化层；电荷节流层、N+区和氧化层自下往上依次生长在衬底上；电荷节流层、N+区均为掺杂区，且N+区的掺杂浓度大于电荷节流层的掺杂浓度。在高压双极型半导体功率器件制作过程中，采用多次、多步掺杂工艺（如掺杂硼、磷、铝杂质），在器件的基区制作了一层具有特定浓度分布的电荷节流层，该电荷节流层在器件导通过程中通过增强电导调制效应，可有效降低器件基区的导通电阻，减少器件在工作过程中的热积累。