形成半导体器件的方法、以及半导体结构

一种方法包括形成互补场效应晶体管，包括形成下源极/漏极区域，以及在下源极/漏极区域上方形成上源极/漏极区域。执行蚀刻工艺以蚀刻穿过上源极/漏极区域并形成接触开口。蚀刻工艺停止于下源极/漏极区域的顶面上。该方法还包括：在接触开口中形成介电接触间隔件；在下源极/漏极区域上方形成第一硅化物层；在第一硅化物层上方形成与之接触的接触塞；以及在下源极/漏极区域的底面下方形成与之接触的第二硅化物层。本申请的实施例涉及一种形成半导体器件的方法、以及半导体结构。