半导体结构及其形成方法

方法包括：形成包括衬底上方的下部多层堆叠件、下部多层堆叠件上方的介电蚀刻停止层和介电蚀刻停止层上方的上部多层堆叠件的多层堆叠件。方法还包括：蚀刻多层堆叠件以形成对准标记沟槽；对上部多层堆叠件实施第一蚀刻工艺以形成上部多层堆叠件部分；以及基于上部多层堆叠件部分形成上部晶体管。去除衬底以露出下部多层堆叠件。方法还包括：对下部多层堆叠件实施第二蚀刻工艺以形成下部多层堆叠件部分。第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺使用停止相应蚀刻工艺的介电蚀刻停止层并且使用用于对准的对准标记沟槽来实施。基于下部多层堆叠件部分形成下部晶体管。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。