一种离子注入方法

本申请公开了一种离子注入方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在位于所述NMOS区域的衬底上形成光阻层，使得所述PMOS区域露出；以所述光阻层为掩膜，进行源漏区离子注入工艺，以在所述衬底中形成PMOS器件的源区和漏区；以所述光阻层为掩膜，对所述源区和漏区进行氟离子注入工艺。本申请通过上述方案，能够提高PNP电流增益。