高压PNP结构静电防护器件

本发明提供一种高压PNP结构静电防护器件，器件包括：P型衬底、形成于其内的N型埋层、深N阱、N阱和P型发射极区，共同构成一PNP晶体管，其中位于两端的P型重掺杂为集电极，深N阱为基极，位于中间的P型重掺杂为发射极。器件的击穿电压由所述基极和所述集电极之间形成的纵向PN结决定。由于所述纵向PN结的形成主要依赖于掺杂工艺而非横向光刻精度，本发明器件的击穿电压稳定性显著提高，降低了对工艺波动的敏感度，从而提升了集成电路的可靠性和良率。