半导体结构及其制造方法

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一基板、一半导体复合层及一金属电极结构。半导体复合层设置于基板上，金属电极结构设置于半导体复合层上，其包含一金属焊垫层、一金属阻挡层及一金属叠层。金属阻挡层具有一特定厚度用于阻挡金属叠层于一加热制程中突破金属阻挡层而扩散至金属焊垫层。