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案件記録
Mo化合物掺杂调控功函数梯度的PEDOT:PSS/n-Si太阳电池及其制备方法
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
出願人
荆楚理工学院; 国网湖北省电力有限公司荆门供电公司; 荆门市荆科盛和电力技术有限责任公司
発明者
崔义乾; 董洋铭; 胡文雅; 唐文涛; 陈姝敏; 易容科; 邓鹏; 黄凯; 刘霞; 曹雷; 张友兵
IPC分類
H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/10 (2023.01)H10K 30/86 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)
本发明针对功函数梯度变化有利于光伏器件载流子的提取和输运这一特性，提供了一种Mo化合物掺杂调控功函数梯度的PEDOT:PSS/n‑Si太阳电池及其制备方法。通过构造功函数梯度，利于载流子的运输，以提高太阳电池转换效率。本发明的技术优点包括：PEDOT‑MoS/MoO复合薄膜形成的功函数变化梯度结构显著提高了PEDOT:PSS的空穴传输能力。PEDOT‑MoS/MoO复合薄膜具有良好的导电性。在PEDOT‑MoS/MoO复合薄膜中，MoS掺入使PEDOT:PSS薄膜有较高的电子阻挡能力，MoO薄膜改善了PEDOT:PSS薄膜的功函数。该PEDOT‑MoS/MoO复合薄膜制作材料环保，制造方法简易，可大规模生产。
外部リソース