一种半导体结构及其形成方法

本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成硬掩膜层，刻蚀所述衬底和所述硬掩膜层形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁包括带有尖角的突起部；对所述深沟槽的侧壁和底部进行掺杂，形成掺杂层；以及去除所述掺杂层。本申请还提供一种半导体结构。本申请提供的半导体结构及其形成方法，使深沟槽侧壁平整，避免尖角带来的不利影响。