一种硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件

本申请涉及硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件，制备方法包括：提供硅衬底，将硅衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氢气以对硅衬底进行表面预处理；向反应腔中通入氮源气体以在硅衬底表面形成氮化层；向反应腔中通入铝源气体，以使氮化层表面的氮原子与铝原子吸附成键形成氮化铝薄膜；排出反应腔中的氢气；在氮化铝薄膜上形成氮化镓层，包括依次形成氮化镓致密成核层、氮化镓融合层以及氮化镓模板主体层。通过氮化衬底以在硅衬底表面形成氮化层，并使氮化层表面的氮原子与铝原子吸附成键形成氮化铝薄膜，然后排出反应腔中的氢气再形成氮化镓层，解决了在硅衬底上形成氮化镓层时发生回熔与龟裂问题，提高了硅基氮化物薄膜的品质。