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案件記録

一种晶圆回流方法及晶圆回流真空炉

発明有効
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§ Ⅰ

案件概要

IPC分類

H10P 72/00 (2026.01)H10W 72/50 (2026.01)

本发明涉及半导体芯片加工技术领域,提出了一种晶圆回流方法包括:晶圆回流真空炉依次设置第二甲酸清洗区、真空甲酸回流区、第一冷却区、第二冷却区;晶圆进入第二甲酸清洗区;晶圆进入真空甲酸回流区,设置真空甲酸回流区的温度为第二温度,设置真空甲酸回流区的回流流速为第三流速,设置真空甲酸回流区的回流比;晶圆进入第一冷却区,设置第一冷却区的温度为第三温度,设置第一冷却区的冷却速率为第一冷却速率;晶圆进入第二冷却区,设置第二冷却区的温度为第四温度,设置第二冷却区的冷却速率为第二冷却速率。晶圆回流工艺,减少了晶圆翘曲。

外部リソース