提高去除半导体产品金属氧化层效率的设备及方法

本发明提供了一种提高去除半导体产品金属氧化层效率的设备及方法，该设备包括反应腔体、甲酸供应单元、射频发生装置、射频能量导入结构，反应腔体用于容纳待处理半导体产品并提供工艺环境，甲酸供应单元通过管路连接至所述甲酸气体入口，用于向所述反应腔体内提供甲酸气体，射频能量导入结构用于将所述射频发生装置产生的射频能量耦合至所述甲酸气体，以在半导体产品处理过程提高甲酸分子与半导体产品表面金属氧化物的反应速率。该设备能够增加甲酸气体在反应腔体内的活性，提高去除反应腔体内金属氧化层的速率，而且避免了现有技术中通过加热甲酸供应单元以及改变甲酸供应单元压力环境导致的甲酸气体浓度不稳定的问题。