検索に戻る
案件記録
形成钼的金属膜的方法及装置
発明有効
15閲覧数
12請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC分類
H10W 20/44 (2026.01)
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。
外部リソース
発明者
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC分類
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。
外部リソース