一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法

本发明公开了一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法，涉及半导体技术领域，包括以下操作步骤：步骤1：将覆铜铝陶瓷基板进行表面预处理，再设置耐酸掩膜，得到覆铜铝陶瓷基板A；步骤2：通过菲林片对覆铜铝陶瓷基板A通过曝光、显影进行图形转移，形成所需图形，喷淋化学蚀刻液蚀刻20~25分钟，得到覆铜铝陶瓷基板B；步骤3：将覆铜铝陶瓷基板B置于30~35℃的台阶蚀刻液中垂直浸泡蚀刻10~15分钟，取出，退膜清洗，烘干，得到具有铝台阶的产品。