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案件記録

磁穿隧接面元件的制造方法

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§ Ⅰ

案件概要

発明者

犬饲晃司; 都贺裕太; 中十知; 井土宏

IPC分類

G03F 7/11 (2006.01)G03F 7/40 (2006.01)H10B 61/00 (2006.01)H10N 50/01 (2006.01)H10N 50/10 (2006.01)H10N 50/20 (2006.01)

一种磁穿隧接面元件的制造方法,其制造在基板上直接或间接地依次包括磁穿隧接面层及金属层的磁穿隧接面元件,所述制造方法包括:在所述金属层上形成抗蚀剂底层膜的工序;在所述抗蚀剂底层膜上形成硅氧化膜的工序;以及在所述硅氧化膜上形成抗蚀剂膜的工序,所述抗蚀剂底层膜由含有具有芳香环的化合物及溶媒的抗蚀剂底层膜形成用组合物形成。

外部リソース