基板处理装置

本发明的一方面的基板处理装置包括：工艺腔室，内部形成反应空间；腔室盖，覆盖所述工艺腔室上部；基板支撑部，设置在所述工艺腔室内，以支撑至少一个基板；等离子体源组件，包括形成具有第一半径的第一环形通道的第一等离子体源、形成第二环形通道的第二等离子体源、绝缘部件；及气体喷射部，与所述基板支撑部相对，形成在所述等离子体源组件的下部，形成将由所述等离子体源组件活化的工艺气体喷射到所述基板支撑部上的气体喷射板。