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案件記録

包含TSV结构的设备

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§ Ⅰ

案件概要

発明者

成井诚司; 内山士郎; 徐邦宁; 柴田佳世子; 长内文之

IPC分類

H10B 80/00 (2026.01)H10D 80/30 (2026.01)H10W 20/20 (2026.01)H10W 20/42 (2026.01)H10W 20/43 (2026.01)

根据本公开的一或多个实施例,一种设备包括:逻辑裸片,其包含多个第一穿硅通孔(TSV);及核心裸片,其在所述逻辑裸片上,所述核心裸片包含多个TSV。所述逻辑裸片中的所述第一TSV的数目不同于所述核心裸片中的所述第二TSV的数目。

外部リソース