一种基于施密特触发的SRAM PUF电路

本发明公开了一种基于施密特触发的SRAM PUF电路，包括n个PUF单元阵列和负载倾斜电路，每个PUF单元阵列均包括2个PUF单元，每个PUF单元均采用施密特触发的对称存储结构来实现，负载倾斜电路用于产生大小可调的两路负载，当筛选某个PUF单元是否可靠时，负载倾斜电路先后产生大小不相等的两路负载加载到该PUF单元上，且先后两次产生的两路负载大小对调，打破该PUF单元对称存储结构下拉能力的平衡，使该PUF单元作为熵源产生两次对应的PUF响应，基于两次产生的PUF响应是否出现翻转来确定该PUF单元是否可靠；优点是能够同时有效筛选因随机噪声、电压和温度变化导致的不可靠PUF单元，且不会增加较大硬件开销，无需进行大量出厂测试工作，易于在实际应用中推广。