半导体结构及其制备方法、以及存储系统

本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括第一结构，第一结构包括第一导电线组和第一延伸结构；多个第一导电线组沿第一方向间隔排布，第一导电线组包括沿第二方向延伸的第一导电线；第一延伸结构位于第一导电线组沿第三方向的一侧并包括第一导电层，第一导电层沿第一方向延伸且与第一导电线隔离，其中，分别位于相邻第一导电线组一侧的第一导电层间隔；其中，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。