用于形成半导体设备的方法

本公开内容的各方面提供了一种用于半导体设备制造的方法。该方法包括：通过对第一管芯的第一侧进行处理来在层叠置体中形成端部在第一层中的垂直结构。与第二层相比，第一层对于层叠置体具有更好的蚀刻选择性。该方法还包括：通过对第一管芯的与第一侧相对的第二侧进行处理来用第二层替换第一层。