半导体器件

提供了一种半导体器件，其包括：基板；沟道层，在基板上并且具有第一材料；阻挡层，位于沟道层上并且包括第二材料，第二材料具有与第一材料的能带隙不同的能带隙；栅电极，位于阻挡层上并且在第一方向上延伸；栅极半导体层，位于阻挡层和栅电极之间；源电极，连接到沟道层并且在第二方向上与栅电极间隔开，第二方向垂直于第一方向；漏电极，连接到沟道层并且在第二方向上与栅电极间隔开；以及防裂纹传播结构，位于源电极的一侧并连接到源电极，并且穿透沟道层和阻挡层进入到基板中。