半导体结构及其形成方法

本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：基底；漂移区，位于所述基底上；沟道层，位于所述漂移区内；阱区，位于所述基底上，且与所述漂移区的第一侧相邻；第一栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述阱区和沟道层；源极掺杂层，位于所述第一栅极结构一侧的阱区内；漏极掺杂层，位于所述漂移区内且邻近所述漂移区的第二侧；第二栅极结构，位于所述源极掺杂层一侧的阱区内，且远离所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的深度大于所述源极掺杂层的深度，以及所述第二栅极结构的深度大于所述沟道层的深度。采用上述方法，可以提高半导体结构的性能。