金属绝缘层金属电容结构及其制备方法

本发明提供了一种金属绝缘层金属电容结构及其制备方法，所述金属绝缘层金属电容结构包括：半导体基底，其上设有第一电极层；设于所述第一电极层上的第一氧化铝层；设于所述第一氧化铝层上的包括多层介电层的介电叠层，所述介电叠层中任一介电层的厚度均大于所述第一氧化铝层的厚度且最靠近所述半导体基底的介电层的材质与所述第一氧化铝层的材质不同；设于所述介电叠层上的第二电极层。本发明用于在确保金属绝缘层金属电容的电容值的前提下改善电容的漏电流。