面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构

本发明公开面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制备技术领域，以解决现有技术中在制备面向先进节点的半导体结构时，制备流程繁琐且结构图形边缘质量恶化的问题。方法包括：在底层结构上形成叠层；在掩膜层表面形成初始图形，并将初始图形转移至掩膜层和目标层，在目标层上形成与初始图形尺寸一致的目标层的初始结构化图形；采用远程等离子体刻蚀机，对目标层的初始结构化图形进行各向同性刻蚀，将目标层的初始结构化图形缩小为目标尺寸图形；其中，目标层对停止层的刻蚀速率之比大于或者等于预设比值；最终形成目标半导体结构。本发明用于提高面向先进节点的半导体结构的制备效率和图形质量。