一种单晶硅片的清洗方法

本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种单晶硅片的清洗方法。一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：（a）采用纳米气泡水对单晶硅片进行包括超声处理和动态压力梯度喷淋的预处理；（b）采用复合清洗液对所述预处理后的硅片进行清洗，所述复合清洗液包括APM溶液和纤维素酶；（c）对所述清洗后的硅片进行包括等离子体处理和漂洗的后处理。本发明通过各步骤的配合，可有效降低后处理后的硅片表面的金属离子残留量，并且大大降低硅片的碎片率，清洗时间缩短，降低能耗。