沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置

本发明提供了一种沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置，通过两个第一沟槽接触结构，在第一连线方向上施加检测电流；通过两个第二沟槽接触结构，在第二连线方向上获取检测电压；并能够根据获取的所述检测电压推算沟槽底部的留膜厚度，从而能够快速、准确地监控沟槽底部留膜厚度的变化情况。