一种碳化硅晶锭的激光剥片方法及装置

本发明属于半导体材料加工技术领域，涉及一种碳化硅晶锭的激光剥片方法及装置。该方法通过对激光光束进行相位补偿，校正空气‑碳化硅界面折射率失配导致的像差，控制脉冲激光在晶锭内部的聚焦深度，调制晶体内部聚焦光斑形状。聚焦光束在碳化硅晶锭内部产生单层或多层改质区域，通过调制补偿相位、调控脉冲能量与扫描间隔等参数，利用激光诱导等离子体增强第一层改质区域能量吸收，并抑制焦点附近第二层改质区的形成；第一层改质区域裂纹显著横向生长，相邻激光改质诱发的裂纹沿同一水平线扩展、并整齐地连接成直线。本发明显著提升了切片质量与加工效率，降低了材料损耗；降低了生产成本，适用于大尺寸碳化硅晶锭的工业化晶圆片生产。