一种用于低温溶出后槽的脱硅剂及脱硅方法

本发明公开了一种用于低温溶出后槽的脱硅剂及硅方法，属于氧化铝生产技术领域；所述脱硅剂由硅源与特定苛性比和浓度的铝酸钠溶液经成核、晶体熟化及分离步骤制得；所述方法包括母液稀释控温、添加脱硅剂、添加絮凝助剂及固液分离步骤；本申请的脱硅剂专为85～99℃的低温工况设计，不仅能实现深度脱硅，还能同步脱除氟、钒及有机物等杂质，并通过硅渣的回用实现了资源化循环，有效减少了有害离子引起的设备腐蚀和产品污染问题。